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HiPerFET TM Power
MOSFET Q2-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q G ,
Low Intrinsic R G
High dv/dt, Low t rr
IXFB70N60Q2
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
PLUS264 TM
600V
70A
88m Ω
250ns
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
Maximum Ratings
600
600
± 30
± 40
70
280
V
V
V
V
A
A
G
D
S
G = Gate
S = Source
Tab
D = Drain
Tab = Drain
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Force
70
5
20
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
30..120/6.7..27
10
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
N/lbs
g
Features
Double Metal Process for Low Gate
Resistance
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
PLUS 264 TM Package for Clip or Spring
Mounting
Space Savings
High Power Density
Applications
DC-DC Converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies, > 500kHz Switching
DC Choppers
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
600
V
Pulse Generation
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ±30 V, V DS = 0V
3.0
5.5
± 200
V
nA
Laser Drivers
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 125°C
50 μ A
3 mA
88 m Ω
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99006C(7/10)
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